入寶山而空回

社會中心／張雅筑報導【17:35發搞│18:18更新 新增案情】

原在記憶體大廠台灣美光公司（Micro）擔任主管，並負責動態隨機存取記憶體（DRAM）製程開發的何建廷和王永銘，3年多前遭美光發現離職前竟竊取DRAM的技術投靠聯電，且薪水還是原本的3倍起跳。攜機密跳槽和聯電協理戎樂天合作，讓聯電得以靠僅兩個月的時間就研發出32奈米製程的DRAM，此舉讓美光相當氣憤又覺得不道德，因此決定在2017年向這三人和聯電提告。全案經檢方調查後，於同年依違反營業秘密法等罪將他們起訴，經台中地院審理後，今日下午依法判戎樂天6年6月徒刑，併科罰金600萬元；何建廷5年6月徒刑，500萬元罰金；王永銘4年6月徒刑，400萬元罰金；聯電判處1億元罰金，仍可上訴二審。

▲美光2主管竊機密跳槽到聯電，和聯電協理合作開發，三人和聯電下場遭重判。（圖／翻攝自Google map）

2016年初，聯華電子公司與中國晉華集成電路公司，花了僅兩個月的時間就研發出32奈米DRAM和32S奈米DRAM，接著進行量產。而就在開發前不久，在台灣美光擔任量產整合部課長的何建廷，和擔任品質工程部副理的王永銘，負責隨機存取記憶體的兩人突相繼離職，然後新工作很「很剛好」的都在聯電。

美光公司事後清查發現，王永銘在2016年要離職前曾登入公司電腦伺服器，下載許多資料，而那些資料都是開發技術，堪稱公司機密，因此向檢方提告。檢方調查發現，不只王永銘竊取公司機密跳槽，何建廷在離開美光時，也未將機密文件銷毀，而是直接把那些機密帶至新公司聯電，而在聯電擔任協理的戎樂天則要求王永銘參考那些資料協助研發，甚至在檢方搜索調查前，戎樂天還要求何、王兩人刪除來自美光的資料。三人違反營業秘密法的行為罪證確鑿，2017年9月間，檢方依法將他們和聯電公司起訴。

全案經台中地院費時2年多的審理後，今日下午判決結果出爐，戎樂天遭判6年6月徒刑、併科罰金新台幣600萬元；何建廷遭判5年6月、罰金500萬元；王永銘遭判4年6月、罰金400萬元，3人犯罪所得沒收；聯電公司則遭判罰金1億元，全案可上訴。